设备型号：FEI-Scios

制造厂商：美国 FEI

购置时间：2017年

主要技术指标：

1、安装电压：230V(-6%,+10%) ，频率：50Hz(+/-1%)；

2、环境温度：20°C (+/-3°C)；

3、电子光学系统：1)电子枪：高亮度肖特基（ZrO/W）场发射灯丝；2)分辨率：最佳工作距离：1.0nm @ 15kV； 1.6nm @ 1kV；3) 电子束流范围：1pA-400nA，连续可调； 4) 放大倍数：40x-1280000x；

4、离子束系统：1)离子源：液体镓Ga，分辨率：交叉点分辨率3.0nm @ 15kV； 2)离子束流范围：1.5pA~65nA；3)离子源寿命：≥1300小时；4)离子束光阑：不少于15孔；5)加速电压：0.5kV~30kV；

5、样品室：1)尺寸：内径不小于370mm；2)附件/探测器接口：不少于20个；3)电子束和离子束夹角：52度。

主要附件：维修专用工具、耗材

主要功能及应用范围：用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构。高质量定点TEM样品制备。化学和晶体结构三维形态分析。离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。